A股三大指數(shù)今日漲跌不一，截止收盤，滬指漲0.10%，收報3916.23點；深證成指跌0.25%，收報13086.41點；創(chuàng)業(yè)板指漲0.38%，收報3037.44點。滬深兩市成交額跌破2萬億，今日僅有19311億，較昨日縮量1417億。行業(yè)板塊漲少跌多，保險、煤炭行業(yè)、航運港口、銀行板塊漲幅居前，小金屬、貴金屬、風(fēng)電設(shè)備、鋼鐵行業(yè)、采掘行業(yè)、化肥行業(yè)跌幅居前。個股方面，上漲股票數(shù)量接近1200只，逾50只股票漲停。
　　據(jù)媒體報道，存儲模組大廠威剛董事長陳立白表示，當(dāng)前DRAM內(nèi)存、NAND閃存、固態(tài)硬盤、機械硬盤等存儲產(chǎn)品全面缺貨，這種情況30年未見。他認(rèn)為這背后是云服務(wù)供應(yīng)商大規(guī)模采購的強勁需求推動，存儲行業(yè)將迎來多年期牛市。針對DDR4內(nèi)存市場，陳立白指出三星半導(dǎo)體、SK海力士、美光等三大DRAM廠商已拆除DDR4產(chǎn)線設(shè)備，重新生產(chǎn)DDR4并不劃算。這意味著DDR4將進入約2年的長尾市場階段，供應(yīng)缺口遠(yuǎn)超預(yù)期。
　　近年來，隨著AI技術(shù)飛速發(fā)展以及AI數(shù)據(jù)中心等基建需求大增，存儲芯片需求相當(dāng)旺盛。信達(dá)證券表示，AI產(chǎn)品增長影響存儲供需兩端，四季度DRAM和NAND價格預(yù)計延續(xù)增長態(tài)勢。德邦證券指出，本輪存儲芯片的需求更多源自大型科技公司在AI時代的算力基建，持續(xù)性可能更強?！　?img src='/caijiimg/2025/11/02/20251102080802185233.png' border='0' >
　　信達(dá)證券：四季度DRAM和NAND價格預(yù)計延續(xù)增長態(tài)勢
　　AI產(chǎn)品增長影響存儲供需兩端，四季度DRAM和NAND價格預(yù)計延續(xù)增長態(tài)勢。TrendForce則預(yù)估，第四季度舊制程DRAM整體價格環(huán)比增長8%～13%，HBM價格環(huán)比增漲13%～18%；NANDFlash第四季度各類產(chǎn)品合約價或?qū)⑷嫔蠞q，平均漲幅預(yù)計達(dá)到5%～10%。
　　德邦證券：本輪存儲芯片上行周期持續(xù)性可能更強
　　存儲芯片于2024年開啟新上行周期，核心受益于AI基建帶來的需求增長。前兩輪周期本質(zhì)更多依托消費端發(fā)力，而本輪存儲芯片的需求更多源自大型科技公司在AI時代的算力基建，持續(xù)性可能更強。 　　A股三大指數(shù)今日漲跌不一，截止收盤，滬指漲0.10%，收報3916.23點；深證成指跌0.25%，收報13086.41點；創(chuàng)業(yè)板指漲0.38%，收報3037.44點。滬深兩市成交額跌破2萬億，今日僅有19311億，較昨日縮量1417億。行業(yè)板塊漲少跌多，保險、煤炭行業(yè)、航運港口、銀行板塊漲幅居前，小金屬、貴金屬、風(fēng)電設(shè)備、鋼鐵行業(yè)、采掘行業(yè)、化肥行業(yè)跌幅居前。個股方面，上漲股票數(shù)量接近1200只，逾50只股票漲停。
　　據(jù)媒體報道，存儲模組大廠威剛董事長陳立白表示，當(dāng)前DRAM內(nèi)存、NAND閃存、固態(tài)硬盤、機械硬盤等存儲產(chǎn)品全面缺貨，這種情況30年未見。他認(rèn)為這背后是云服務(wù)供應(yīng)商大規(guī)模采購的強勁需求推動，存儲行業(yè)將迎來多年期牛市。針對DDR4內(nèi)存市場，陳立白指出三星半導(dǎo)體、SK海力士、美光等三大DRAM廠商已拆除DDR4產(chǎn)線設(shè)備，重新生產(chǎn)DDR4并不劃算。這意味著DDR4將進入約2年的長尾市場階段，供應(yīng)缺口遠(yuǎn)超預(yù)期。
　　近年來，隨著AI技術(shù)飛速發(fā)展以及AI數(shù)據(jù)中心等基建需求大增，存儲芯片需求相當(dāng)旺盛。信達(dá)證券表示，AI產(chǎn)品增長影響存儲供需兩端，四季度DRAM和NAND價格預(yù)計延續(xù)增長態(tài)勢。德邦證券指出，本輪存儲芯片的需求更多源自大型科技公司在AI時代的算力基建，持續(xù)性可能更強?！　?img src='/caijiimg/2025/11/02/20251102080802185233.png' border='0' >
　　信達(dá)證券：四季度DRAM和NAND價格預(yù)計延續(xù)增長態(tài)勢
　　AI產(chǎn)品增長影響存儲供需兩端，四季度DRAM和NAND價格預(yù)計延續(xù)增長態(tài)勢。TrendForce則預(yù)估，第四季度舊制程DRAM整體價格環(huán)比增長8%～13%，HBM價格環(huán)比增漲13%～18%；NANDFlash第四季度各類產(chǎn)品合約價或?qū)⑷嫔蠞q，平均漲幅預(yù)計達(dá)到5%～10%。
　　德邦證券：本輪存儲芯片上行周期持續(xù)性可能更強
　　存儲芯片于2024年開啟新上行周期，核心受益于AI基建帶來的需求增長。前兩輪周期本質(zhì)更多依托消費端發(fā)力，而本輪存儲芯片的需求更多源自大型科技公司在AI時代的算力基建，持續(xù)性可能更強。
　　天風(fēng)證券：HBM瓶頸凸顯產(chǎn)業(yè)痛點
　　AI推理成價值核心，HBM瓶頸凸顯產(chǎn)業(yè)痛點。當(dāng)前，AI推理已成為衡量大模型商業(yè)化價值的關(guān)鍵標(biāo)尺，為突破算力瓶頸與存儲墻制約，以存代算作為一種顛覆性技術(shù)范式應(yīng)運而生。該技術(shù)通過將AI推理過程中的矢量數(shù)據(jù)昂貴的DRAM和HBM顯存遷移至大容量、高性價比的SSD介質(zhì)，實現(xiàn)存儲層從內(nèi)存向SSD的戰(zhàn)略擴展，而非簡單替代。其核心價值在于顯著降低首Token時延、提升推理吞吐量，并大幅優(yōu)化端到端的推理成本，為AI大規(guī)模落地提供可行路徑。
　　中信證券：2026年大容量QLCSSD有望出現(xiàn)爆發(fā)性增長
　　9月以來，根據(jù)Bloomberg、CFM閃存市場，NANDFlashWafer和部分存儲模組均有不同程度上漲，漲幅個位數(shù)。展望后續(xù)，TrendForce預(yù)計2025年四季度NANDFlash價格將上漲5%～10%，后續(xù)數(shù)據(jù)中心eSSD漲價幅度有望超市場預(yù)期，2026年大容量QLCSSD有望出現(xiàn)爆發(fā)性增長。
　　國金證券：DRAM價格或繼續(xù)增長
　　根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，由于三大DRAM原廠將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高階產(chǎn)品，并陸續(xù)宣布PC/Server用DDR4以及Mobile用LPDDR4X進入產(chǎn)品生命周期末期(EOL)，引發(fā)市場對舊世代產(chǎn)品積極備貨，疊加傳統(tǒng)旺季備貨動能，將推升2025年第三季一般型DRAM(ConventionalDRAM)價格季增10%至15%，若納入HBM，整體DRAM漲幅將季增15%至20%。
　　(本文不構(gòu)成任何投資建議，投資者據(jù)此操作，一切后果自負(fù)。市場有風(fēng)險，投資需謹(jǐn)慎。) 加載全文