證券之星消息，國(guó)林科技(300786)08月15日在投資者關(guān)系平臺(tái)上答復(fù)投資者關(guān)心的問題。

投資者提問：目前臭氧水清洗成為3nm以下先進(jìn)制程的優(yōu)選方案。目前國(guó)際東京電子(TEL)實(shí)驗(yàn)顯示，臭氧水對(duì)EUV 光刻膠的去除率比硫酸﹣雙氧水混合液(SPM)高20%，且無(wú)硫殘留。臺(tái)積電在3nm制程中采用臭氧水預(yù)處理，使晶圓缺陷密度降低15%。ASML的混合工藝：臭氧水+兆聲波(Megasonic)協(xié)同清洗，減少物理?yè)p傷。請(qǐng)問公司是否了解上述行業(yè)發(fā)展？公司能否介紹一下臭氧水在3nm以下制程的優(yōu)勢(shì)？

國(guó)林科技回復(fù)：尊敬的投資者，您好。臭氧水在3nm及以下先進(jìn)制程中的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在其高氧化性、清潔效率和環(huán)保特性上，能夠滿足半導(dǎo)體制造對(duì)精度、缺陷控制和材料兼容性的嚴(yán)苛要求。感謝您的關(guān)注。

為證券之星據(jù)公開信息整理，由AI算法生成(網(wǎng)信算備310104345710301240019號(hào))，不構(gòu)成投資建議。

證券之星消息，國(guó)林科技(300786)08月15日在投資者關(guān)系平臺(tái)上答復(fù)投資者關(guān)心的問題。

投資者提問：目前臭氧水清洗成為3nm以下先進(jìn)制程的優(yōu)選方案。目前國(guó)際東京電子(TEL)實(shí)驗(yàn)顯示，臭氧水對(duì)EUV 光刻膠的去除率比硫酸﹣雙氧水混合液(SPM)高20%，且無(wú)硫殘留。臺(tái)積電在3nm制程中采用臭氧水預(yù)處理，使晶圓缺陷密度降低15%。ASML的混合工藝：臭氧水+兆聲波(Megasonic)協(xié)同清洗，減少物理?yè)p傷。請(qǐng)問公司是否了解上述行業(yè)發(fā)展？公司能否介紹一下臭氧水在3nm以下制程的優(yōu)勢(shì)？

國(guó)林科技回復(fù)：尊敬的投資者，您好。臭氧水在3nm及以下先進(jìn)制程中的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在其高氧化性、清潔效率和環(huán)保特性上，能夠滿足半導(dǎo)體制造對(duì)精度、缺陷控制和材料兼容性的嚴(yán)苛要求。感謝您的關(guān)注。

為證券之星據(jù)公開信息整理，由AI算法生成(網(wǎng)信算備310104345710301240019號(hào))，不構(gòu)成投資建議。